一、采購(gòu)人：中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所
二、采購(gòu)項(xiàng)目名稱：TSV及3D探測(cè)模塊組裝技術(shù)研發(fā)
三、招標(biāo)編號(hào)：HEPSTF-B8-030104-16-010
四、招標(biāo)產(chǎn)品內(nèi)容：
（一）設(shè)備名稱：TSV及3D探測(cè)模塊組裝技術(shù)研發(fā)
（二）數(shù)量：共2套，分兩個(gè)標(biāo)包，每包一套
（三）采購(gòu)預(yù)算：160萬元，每包80萬
（四）項(xiàng)目簡(jiǎn)介：
1、項(xiàng)目概要
高能同步光源驗(yàn)證裝置（簡(jiǎn)稱“HEPS-TF”）項(xiàng)目是我國(guó)“十二五”器件重點(diǎn)建設(shè)的大科學(xué)裝置，其目的是根據(jù)高能同步輻射裝置的設(shè)計(jì)目標(biāo)及建設(shè)需求，通過分析各部分的關(guān)鍵技術(shù)和難點(diǎn)，提煉出可能制約未來建設(shè)以及進(jìn)一步發(fā)展的核心關(guān)鍵技術(shù)，在驗(yàn)證裝置中進(jìn)行充分的研究和工程驗(yàn)證，保證高能同步輻射裝置的順利建設(shè)、運(yùn)行和未來發(fā)展的需要。
二維像素陣列探測(cè)器系統(tǒng)是HEPS-TF裝置子系統(tǒng)之一，它采用混合型像素探測(cè)器結(jié)構(gòu)。本招標(biāo)項(xiàng)目將對(duì)可用于二維像素陣列探測(cè)器的TSV技術(shù)以及3D探測(cè)模塊組裝技術(shù)進(jìn)行招標(biāo)。甲方將以晶圓形式提供體硅像素傳感器以及讀出芯片，提供前端印刷電路板，并提供倒裝焊陣列尺寸和分布圖紙，讀出芯片和電路板引腳定義和扇出圖紙。乙方需以倒裝焊方式完成單片傳感器和多片讀出芯片的點(diǎn)陣式互聯(lián)，并且以TSV的方式完成芯片引腳的引出，最終以回流焊的方式完成探測(cè)模組同電路板的連接。
本次招標(biāo)要求完成全部組裝流程的技術(shù)研發(fā)，并在乙方現(xiàn)場(chǎng)完成良率檢測(cè)和電性能測(cè)試。如測(cè)試合格，則將以此技術(shù)開展后續(xù)批量生產(chǎn)任務(wù)。
2、主要技術(shù)指標(biāo)
TSV及3D探測(cè)模塊組裝技術(shù)研發(fā)的主要技術(shù)指標(biāo)見表1。
表1 TSV及3D探測(cè)模塊組裝技術(shù)研發(fā)主要技術(shù)指標(biāo)
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序號(hào) |
技術(shù)要求 |
指標(biāo)要求 |
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1 |
硅通孔制作圓片尺寸 |
8英寸 |
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2 |
硅通孔直徑 |
10mm |
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3 |
硅通孔孔銅厚度 |
孔內(nèi)全填充 |
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4 |
孔壁絕緣層厚度 |
300nm |
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硅通孔深寬比 |
4:1~5:1 |
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5 |
RDL制作圓片尺寸 |
8英寸 |
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6 |
RDL布線層數(shù) |
2層 |
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RDL線寬/線距 |
10微米/10微米 |
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RDL布線厚度 |
3mm |
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7 |
RDL介質(zhì)層厚度 |
4mm |
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金屬凸點(diǎn)直徑（邊長(zhǎng)） |
25~30微米 |
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8 |
金屬凸點(diǎn)高度 |
10mm |
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9 |
三維組裝 |
組裝溫度280°C以下，不超過30分鐘 |
其他要求：
（1）完成數(shù)量：32個(gè)模組，壞點(diǎn)率小于0.1%
（2）完成時(shí)間：自合同簽訂起12個(gè)月內(nèi)
（五）標(biāo)包劃分：
本招標(biāo)項(xiàng)目劃分為兩個(gè)包進(jìn)行，兩個(gè)包招標(biāo)內(nèi)容完全相同，即每個(gè)包的招標(biāo)內(nèi)容為32個(gè)模組。因該項(xiàng)目屬于預(yù)制研究的性質(zhì)，為了分散采購(gòu)風(fēng)險(xiǎn)，兩個(gè)包的中標(biāo)人根據(jù)評(píng)標(biāo)方法的規(guī)定不能為同一投標(biāo)人。
五、投標(biāo)資格：
（1）政府采購(gòu)法第二十二條規(guī)定的資格條件。
（2）具有必要的生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)場(chǎng)地，有完成本項(xiàng)目加工、集成和檢驗(yàn)測(cè)試的能力。
（3）具有類似項(xiàng)目研發(fā)的業(yè)績(jī)，需提供可以證明具有生產(chǎn)研發(fā)業(yè)績(jī)的材料。
（4）本項(xiàng)目不接受聯(lián)合體投標(biāo)。
（5）產(chǎn)品的生產(chǎn)地點(diǎn)必須為中華人民共和國(guó)境內(nèi)。
（6）按本招標(biāo)公告規(guī)定方式購(gòu)買招標(biāo)文件并登記。
六、招標(biāo)文件發(fā)售時(shí)間：2016年 11月17日～2016年 11月25日（公休日除外）
每天9:00～11:00、14:00～16:30（北京時(shí)間）
七、招標(biāo)文件發(fā)售地點(diǎn)：北京市石景山區(qū)玉泉路19號(hào)乙院（高能所）主樓A135室（大裝置管理中心）
八、招標(biāo)文件購(gòu)買方式：
招標(biāo)文件每套500元人民幣（含招標(biāo)文件電子版，購(gòu)買時(shí)請(qǐng)攜帶U盤），招標(biāo)文件售出不退。
如需郵購(gòu)，請(qǐng)電匯標(biāo)書費(fèi)（500元）?？铐?xiàng)（500元人民幣）匯出后，請(qǐng)將銀行出具的匯款回單、投標(biāo)人名稱、特快專遞地址、E-mail地址等信息發(fā)郵件至xull@ihep.ac.cn。我們收到郵件后會(huì)立即將招標(biāo)文件電子版用E-mail發(fā)給您。
投標(biāo)時(shí)將收取不少于16000元的投標(biāo)保證金。
注意：投標(biāo)單位購(gòu)買招標(biāo)文件時(shí)請(qǐng)攜帶單位介紹信(蓋公章)備查。請(qǐng)?jiān)诮榻B信上注明單位全稱及其地址、郵編；聯(lián)系人及其聯(lián)系方法（包括手機(jī)、電話、傳真、E-mail地址等）或提供購(gòu)買人個(gè)人名片以便聯(lián)系。
九、投標(biāo)截止時(shí)間：北京時(shí)間2016年12月9日上午9:00
十、投標(biāo)文件遞交地點(diǎn)：北京市石景山區(qū)玉泉路19號(hào)乙院（高能所）主樓A419室（大裝置管理中心）
十一、開標(biāo)時(shí)間：北京時(shí)間2016年12月9日上午9:00
十二、本項(xiàng)目聯(lián)系方式：聯(lián) 系 人：徐樂樂
Email：xull@ihep.ac.cn
電 話：010-88236304
全 稱：中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所
開戶銀行：中國(guó)工商銀行北京永定路支行
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